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参数资料
| 型号： | IXTB62N50L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 31A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 550nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
Linear TM Power MOSFET
w/Extended FBSOA
IXTB62N50L
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500V
= 62A
≤ 100 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
PLUS264 TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I A
E AS
P D
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
500
500
± 30
± 40
62
150
80
5
800
V
V
V
V
A
A
A
J
W
D
S
G = Gate
S = Source
Features
Tab
D = Drain
Tab = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
T L
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
300
°C
T SOLD
F C
Weight
Plastic Body for 10s
Mounting Force
260
30..120/6.7..27
10
°C
N/lb.
g
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Programmable Loads
DC-DC Converters
Current Regulators
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
500
3.0
5.5
± 200
V
V
nA
Battery Chargers
DC Choppers
Temperature and Lighting
Controls
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
1 mA
R DS(on)
V GS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
100 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99336B(11/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC110N25T | MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXTC102N25T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC110N25T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC13N50 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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