- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录461 > IXTA90N055T2 (IXYS)MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTA90N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
TrenchT2 TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXTY90N055T2
IXTA90N055T2
IXTP90N055T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 55V
= 90A
≤ 8.4m Ω
Avalanche Rated
TO-252 (IXTY)
G
S
TO-263 AA (IXTA)
D (Tab)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
Maximum Ratings
55
V
G
S
V DGR
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
55
± 20
90
75
230
V
V
A
A
A
TO-220AB (IXTP)
D (Tab)
I A
T C = 25 ° C
50
A
G
DS
D (Tab)
E AS
P D
T J
T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
300
150
-55 ... +175
175
mJ
W
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
T stg
T L
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque (TO-220)
TO-252
TO-263
TO-220
-55 ... +175
300
260
1.13 / 10
0.35
2.50
3.00
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
g
International Standard Package
175°C Operating Temperature
Avalanche Rated
High Current Handling Capability
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on) and Q G
ROHS Compliant
High Performance Trench
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space Savings
Synchronous
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
55
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.0
V
Applications
I GSS
I DSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 150 ° C
± 200 nA
2 μ A
200 μ A
Automotive Engine Control
Synchronous Buck Converter
(for Notebook Systempower &
General Purpose Point & Load.)
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 25A, Notes 1, 2
7.0
8.4 m Ω
DC/DC Converters
High Current Switching Applications
Power Train Management
Distributed Power Architecture
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99956B(02/12)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA90N055T | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| IXTA90N075T2 | MOSFET N-CH 75V 90A TO-263 |
| IXTA98N075T | MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 |
| IXTB62N50L | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 |
| IXTC110N25T | MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
| IXTA98N075T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。