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参数资料
| 型号： | IXTA90N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTY90N055T2 IXTA90N055T2
IXTP90N055T2
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-252 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
25
43
2770
420
102
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 30V, I D = 25A
R G = 5 Ω (External)
19
21
39
19
ns
ns
ns
ns
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Bottom Side
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCH
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
TO-220
42
14
8.5
0.50
nC
nC
nC
1.00 ° C/W
° C/W
Dim.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
Millimeter
Min. Max.
2.19 2.38
0.89 1.14
0 0.13
0.64 0.89
0.76 1.14
5.21 5.46
0.46 0.58
0.46
0.58
Inches
Min. Max.
0.086 0.094
0.035 0.045
0 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.205 0.215
0.018 0.023
0.018
0.023
Source-Drain Diode
D
D1
5.97
4.32
6.22
5.21
0.235
0.170
0.245
0.205
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
E
E1
e
6.35 6.73
4.32 5.21
2.28 BSC
0.250 0.265
0.170 0.205
0.090 BSC
I S
V GS = 0V
90
A
e1
H
4.57 BSC
9.40 10.42
0.180 BSC
0.370 0.410
I SM
Repetitive, Pulse width limited by T JM
360
A
L
L1
0.51 1.02
0.64 1.02
0.020
0.025
0.040
0.040
V SD
I F = 25A, V GS = 0V, Note 1
0.85
1.0
V
L2
L3
0.89
2.54
1.27
2.92
0.035
0.100
0.050
0.115
t rr
I RM
Q RM
I F = 45A, V GS = 0V
-di/dt = 100A/ μ s
V R = 27V
37
2.2
40
ns
A
nC
TO-220 Outline
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
2. On through-hole packages, R DS(on) Kelvin test contact
location must be 5mm or less from the package body.
TO-263 Outline
Pins:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
1 = Gate
2 = Drain
3 = Source
4 = Drain
Bottom Side
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions,and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA90N055T | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| IXTA90N075T2 | MOSFET N-CH 75V 90A TO-263 |
| IXTA98N075T | MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 |
| IXTB62N50L | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 |
| IXTC110N25T | MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
| IXTA98N075T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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