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参数资料
| 型号： | IXTA90N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTY90N055T2 IXTA90N055T2
IXTP90N055T2
24
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time vs.
Junction Temperature
23.0
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time vs.
Drain Current
23
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 30V
22.5
R G = 5 ? ,V GS = 10V
V DS = 30V
T J = 125oC
22.0
22
I
D
= 45A
21.5
21
I
D
= 25A
21.0
T J = 25oC
20
19
20.5
20.0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times vs.
Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Junction Temperature
30
35
22.0
60
28
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 30V
31
21.5
21.0
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 30V
55
50
I D = 25A, 45A
26
27
20.5
20.0
I D = 25A
45
40
24
22
23
19
19.5
19.0
I D = 45A
35
30
18.5
25
20
15
18.0
20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Gate Resistance
21.5
52
62
80
21.0
20.5
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 30V
48
44
54
46
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 30V
I D = 25A
70
60
20.0
40
19.5
T J = 125oC
36
38
50
19.0
18.5
18.0
T J = 25oC
32
28
24
30
22
14
I D = 45A
40
30
20
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA90N055T | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| IXTA90N075T2 | MOSFET N-CH 75V 90A TO-263 |
| IXTA98N075T | MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 |
| IXTB62N50L | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
| IXTA98N075T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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