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参数资料
| 型号： | IXTA90N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 90A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA90N15T IXTH90N15T
IXTP90N15T IXTQ90N15T
TO-263 (IXTA) Outline
TO-247 (IXTH) Outline
1
2
3
? P
Terminals: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
L1
? P
Q
R
S
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
TO-220 (IXTP) Outline
Pins: 1 - Gate 2 - Drain 3 - Source
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
TO-3P (IXTQ) Outline
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5145.0429.611 | MOD INLET/STD FILTER 8A PNL |
| AML24EBA2AC05 | SWITCH ROCKER DPDT 3A 125V |
| LW3122-N4BC-A | SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V |
| LW3122-N2CD-A | SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V |
| FXO-PC535R-1218.75 | OSC 1218.75 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
| IXTA98N075T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA98N075T7 | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTB30N100L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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