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参数资料
| 型号： | IXTA90N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 90A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA90N15T IXTH90N15T
IXTP90N15T IXTQ90N15T
32
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
31
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
30
R G = 3.3 Ω
29
R G = 3.3 Ω
28
V GS = 10V
V DS = 75V
27
V GS = 10V
V DS = 75V
T J = 25oC
26
25
24
23
22
21
20
18
I D = 90A
19
16
14
12
I D = 45A
17
15
13
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
100
33
23
65
90
t r
t d(on) - - - -
32
t f
t d(off) - - - -
80
70
60
50
40
30
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 75V
I D = 90A
I D = 45A
31
30
29
28
27
26
22
21
20
19
18
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
V DS = 75V
I D = 45A
I D = 90A
60
55
50
45
40
20
25
17
35
10
24
0
23
16
30
2
4
6
8
10
12
14
16
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
22
60
90
110
t f
t d(off) - - - -
80
t f
t d(off) - - - -
100
21
T J = 125oC
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
V DS = 75V
55
70
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 75V
90
20
50
60
80
19
T J = 25oC
T J = 25oC
45
50
40
I D = 45A, 90A
70
60
18
17
16
T J = 125oC
40
35
30
30
20
10
0
50
40
30
20
20
30
40
50
60
70
80
90
2
4
6
8
10
12
14
16
I D - Amperes
R G - Ohms
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_90N15T(5G)8-08-07-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5145.0429.611 | MOD INLET/STD FILTER 8A PNL |
| AML24EBA2AC05 | SWITCH ROCKER DPDT 3A 125V |
| LW3122-N4BC-A | SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V |
| LW3122-N2CD-A | SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V |
| FXO-PC535R-1218.75 | OSC 1218.75 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
| IXTA98N075T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA98N075T7 | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTB30N100L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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