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参数资料
| 型号： | IXTA90N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 90A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA90N15T IXTH90N15T
IXTP90N15T IXTQ90N15T
110
Fig. 7. Input Admittance
100
Fig. 8. Transconductance
100
90
80
70
60
90
80
70
60
50
T J = - 40oC
25oC
150oC
50
40
30
20
10
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
40
30
20
10
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
280
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 75V
240
200
160
120
8
7
6
5
4
I D = 25A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
C oss
C rss
1.00
0.10
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5145.0429.611 | MOD INLET/STD FILTER 8A PNL |
| AML24EBA2AC05 | SWITCH ROCKER DPDT 3A 125V |
| LW3122-N4BC-A | SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V |
| LW3122-N2CD-A | SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V |
| FXO-PC535R-1218.75 | OSC 1218.75 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
| IXTA98N075T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA98N075T7 | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTB30N100L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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