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参数资料
| 型号： | IXTC180N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXTC180N085T
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS220 (IXTC) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 10V, I D = 60A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
R G = 5 Ω (External)
75
120
8800
950
110
32
70
55
65
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
170
40
50
nC
nC
nC
1.Gate 2. Drain
3.Sourc e
Note: Bottom heatsink (Pin 4) is
electrically isolated from Pins 1,2, and 3.
R thJC
1.0 °C/W
R thCH
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
0.50
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
°C/W
I S
I SM
V SD
t rr
I RM
Q RM
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = 25A, V GS = 0V, Note 1
I F = 90A, V GS = 0V, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 40V
63
4.1
129
180
480
1.0
A
A
V
ns
A
nC
Notes: 1. Pulse Test: t ≤ 300 μ s, Duty Cycle d ≤ 2 %.
2. Drain and Source Kelvin Contacts must be Located Less than 5 mm
from the Plastic Body.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC200N10T | MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 |
| IXTC220N055T | MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 |
| IXTC220N075T | MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220 |
| IXTC240N055T | MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220 |
| IXTC250N075T | MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTC180N10T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id100 BVdass100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC200N085T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC200N10T | 功能描述:MOSFET 118 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC220N055T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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