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参数资料
| 型号： | IXTC180N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXTC180N085T
80
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
90
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
70
60
50
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 43V
80
70
60
50
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 43V
T J = 25oC
40
I
D
= 50A
40
30
I
D
= 25A
30
T J = 125oC
20
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
140
60
68
94
t r
t d(on) - - - -
66
I D = 50A
90
120
100
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 43V
I D = 50A
56
52
64
62
I D = 25A
86
82
60
t f
t d(off) - - - -
78
80
60
I D = 25A
48
44
58
56
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 43V
74
70
54
66
40
20
40
36
52
50
I D = 25A, 50A
62
58
48
54
0
32
46
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
72
100
160
300
68
T J = 125oC
92
140
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
260
64
60
56
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 43V
T J = 25oC
84
76
68
120
100
V DS = 43V
I D = 25A
I
D
= 50A
220
180
52
48
T J = 25oC
60
52
80
60
140
100
T J = 125oC
44
44
40
60
24
28
32
36
40
44
48
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION All Rights Reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_180N085T (5V) 03-04-09-D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC200N10T | MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTC180N10T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id100 BVdass100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC200N085T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC200N10T | 功能描述:MOSFET 118 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC220N055T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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