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参数资料
| 型号： | IXTH10N100D |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 1000 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | IXTH10N100D |
IXTH10N100D
IXTT10N100D
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Fig. 7. Input Admittance
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
- 40oC
Fig. 8. Transconductance
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= - 40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
0
5
10
15
20
25
30
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
V
SD
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= -10V
Fig. 11. Gate Charge
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
140
Q
G
- NanoCoulombs
V
G
V
DS
= 500V
I
D
= 5A
I
G
= 10mA
Fig. 12. Capacitance
10
100
1,000
10,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
- Volts
C
f
= 1 MHz
Ciss
Crss
Coss
Fig. 10. Breakdown & Threshold Voltages
vs. Junction Temperature
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees Centigrade
B
D
G
V
GS(off)
@ V
DS
= 25V
BV
DSS
@ V
GS
= -10V
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