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参数资料
| 型号： | IXTH130N20T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH130N20T
20
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
20
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
19
R G = 2 Ω
19
18
V GS = 15V
18
T J = 25oC
V DS = 100V
17
17
16
15
16
15
R G = 2 Ω
V GS = 15V
14
13
12
11
10
I D = 65A
I D = 130A
14
13
12
11
10
V DS = 100V
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
45
30
25
80
t r
t d(on) - - - -
24
t f
t d(off) - - - -
40
35
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 100V
29
28
23
22
R G = 2 Ω , V GS = 15V
V DS = 100V
75
21
I D = 130A
70
30
25
20
I D = 130A, 65A
27
26
25
20
19
18
17
16
I D = 65A
65
60
15
24
15
I D = 130A
55
14
10
23
13
50
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115 125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
28
t f
t d(off) - - - -
90
90
t f
t d(off) - - - -
200
26
24
R G = 2 Ω , V GS = 15V
V DS = 100V
85
80
80
70
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 100V
180
160
T J = 25oC
22
75
60
140
I D = 65A, 130A
20
18
70
65
50
40
120
100
T J = 125oC
16
14
60
55
30
20
80
60
T J = 25oC
12
50
10
40
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_130N20T(8W) 06-07-07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTH13N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13N80 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTH13P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
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