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参数资料
| 型号： | IXTH14N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 14N80
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
20
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
20
T J =
25 O C
V GS = 9V
T J = 125 O C
V GS = 9V
16
8V
7V
6V
5V
16
8V
7V
6V
5V
12
8
4
0
4V
12
8
4
0
4V
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
V DS - Volts
Figure 3. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value vs. I D
V DS - Volts
Figure 4. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value vs. T J
T J = 125 C
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
O
T J = 25 O C
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
I D = 15A
I D = 7.5A
1.0
1.2
0.8
0
5
10
15
20
25
1.0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
20
T J - Degrees C
Figure 6. Admittance Curves
16
14
16
12
12
10
8
8
4
6
4
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
3
4
5
6
7
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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