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参数资料
| 型号： | IXTH160N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.6 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchHV TM
Power MOSFET
IXTH160N15T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150 V
= 160 A
≤ 9.6 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25°C to 175°C
T J = 25°C to 175°C; R GS = 1M Ω
Transient
150
150
± 30
V
V
V
I D25
I LRMS
I DM
I A
E AS
T C = 25°C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25°C, pulse width limited by T JM
T C = 25°C
T C = 25°C
160
75
430
5
1.0
A
A
A
A
J
G
G = Gate
S = Source
D
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
dv/dt
P d
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175°C
T C = 25°C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
10
830
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
V/ns
W
°C
°C
°C
°C
°C
M d
Mounting torque
1.13 / 10 Nm/lb.in.
Weight
6
g
Features
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
175 ° C Operating Temperature
(T J = 25°C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
150
V
Advantages
Easy to mount
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 1 mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150°C
2.5
5.0
± 200
25
300
V
nA
μ A
μ A
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
8.0
9.6
m Ω
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99840 (06/07 )
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH16P20 | MOSFET P-CH 200V 16A TO-247 |
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| IXTH182N055T | MOSFET N-CH 55V 182A TO-247 |
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| IXTH200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH16N10D2 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 16A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH16N20D2 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH16N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH16P20 | 功能描述:MOSFET -16 Amps -200V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH16P60P | 功能描述:MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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