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参数资料
型号： IXTH160N15T
厂商： IXYS
文件页数： 2/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
标准包装： 30
系列： TrenchHV™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 160A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 9.6 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 160nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 8800pF @ 25V
功率 - 最大： 830W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： TO-247
包装： 管件
IXTH160N15T
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
TO-247AD Outline
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g fs
C iss
V DS = 10V; I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
65
105
8800
S
pF
C oss
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1 MHz
1170
pF
1
2
3
C rss
150
pF
t d(on)
t r
t d(off)
Resistive Switching Times
V GS = 15V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 2.0 Ω (External)
21
21
60
ns
ns
ns
t f
31
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
Q g(on)
Q gs
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
160
43
nC
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A 1
A 2
Q gd
R thJC
46
nC
0.18 °C/W
A 4.7 5.3
2.2 2.54
2.2 2.6
b 1.0 1.4
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
R thCS
0.21
°C/W
b 1
b 2
1.65 2.13
2.87 3.12
.065 .084
.113 .123
C .4 .8
.016 .031
Source-Drain Diode
D 20.80 21.46
.819 .845
Symbol Test Conditions
T J = 25°C unless otherwise specified)
Min.
Characteristic Values
Typ. Max.
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
L1 4.50
.177
I S
V GS = 0V
160
A
?P 3.55 3.65
.140 .144
Q 5.89 6.40
0.232 0.252
I SM
V SD
t rr
Pulse width limited by T JM
I F = 50A, V GS = 0V, Note 1
I F = 80A, -di/dt = 200A/ μ s
115
430
1.2
A
V
ns
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.170 .216
242 BSC
V R = 75V, V GS = 0V
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 m s, duty cycle, d ≤ 2 %
PRELIMINARY TECHNICAL INFORMATION
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are
derived from data gathered during objective characterizations of preliminary engineering lots; but
also may yet contain some information supplied during a pre-production design evaluation. IXYS
reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions without notice.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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PDF描述
IXTH16P20 MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
IXTH180N10T MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
IXTH182N055T MOSFET N-CH 55V 182A TO-247
IXTH200N085T MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
IXTH200N10T MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTH16N10D2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 16A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH16N20D2 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH16N50D2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH16P20 功能描述:MOSFET -16 Amps -200V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH16P60P 功能描述:MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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