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参数资料
| 型号： | IXTH160N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.6 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH160N15T
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
140
9V
8V
7V
300
9V
8V
120
250
100
6V
200
7V
80
150
60
40
100
6V
20
0
5V
50
0
5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
160
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 80A Value
vs. Junction Temperature
140
120
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.8
2.6
2.4
V GS = 10V
100
6V
2.2
2.0
80
60
1.8
1.6
1.4
I D = 160A
I D = 80A
1.2
40
20
0
5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 80A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.5
V GS = 10V
15V - - - -
80
External Lead Current Limit
70
3.0
T J = 175oC
60
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
T J = 25oC
50
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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