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参数资料
| 型号： | IXTH160N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.6 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH160N15T
24
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
R G = 2 Ω
24
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
22
20
V GS = 15V
V DS = 75V
22
20
R G = 2 Ω
T J = 25oC
V GS = 15V
18
16
14
I D = 40A
18
16
14
V DS = 75V
12
10
I D = 80A
12
10
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
45
50
55
60
65
70
75
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
42
27
40
110
38
t r
t d(on) - - - -
26
t f
t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
36
R G = 2 Ω , V GS = 15V
100
34
30
V DS = 75V
I D = 80A, 40A
25
24
32
V DS = 75V
90
26
22
23
22
28
24
I D = 80A
I D = 40A
80
70
18
21
20
60
14
20
10
19
16
50
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
40
t f
t d(off) - - - -
110
110
100
260
240
36
R G = 2 Ω , V GS = 15V
100
90
220
T J = 25oC
V DS = 75V
32
90
80
I D = 40A
200
70
180
28
T J = 125oC
80
60
I D = 80A
160
50
140
24
T J = 25oC
70
40
t f
t d(off) - - - -
120
20
16
T J = 125oC
60
50
30
20
10
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 75V
100
80
60
40
45
50
55
60
65
70
75
80
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_160N15T(8W) 06-07-07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH16N10D2 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 16A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH16N20D2 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH16N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH16P20 | 功能描述:MOSFET -16 Amps -200V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH16P60P | 功能描述:MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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