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参数资料
| 型号： | IXTH16P20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 16A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
Standard Power MOSFET
P-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTH 16P20
V DSS
I D25
R DS(on)
= -200 V
= -16 A
= 0.16 ?
Preliminary Data Sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
-200
-200
± 20
V
V
V
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T J
± 30
-16
-64
V
A
A
D (TAB)
I AR
E AR
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
-16
30
300
A
mJ
W
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
T J
-55 ... +150
° C
T JM
T stg
150
-55 ... +150
° C
° C
Features
? International standard package
T L
M d
Weight
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque
300 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
JEDEC TO-247 AD
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance (<5 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
V DSS
V GS(th)
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = -250 μ A
V DS = V GS , I D = -250 μ A
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
-200 V
-3.0 -5.0 V
Applications
? High side switching
? Push-pull amplifiers
? DC choppers
? Automatic test equipment
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
V GS = -10 V, I D = 0.5 ? I D25
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
± 100
-25
-1
0.16
nA
μ A
mA
?
Advantages
? Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98906B(1/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH180N10T | MOSFET N-CH 100V 180A TO-247 |
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| IXTH200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 |
| IXTH200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH16P60P | 功能描述:MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH17N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH17N60 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH17N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH17P25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
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