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参数资料
| 型号： | IXTH16P20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 16A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 16P20
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-247 AD Outline
g fs
V DS = -10 V; I D = I D25 , pulse test
6
10
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = -25 V, f = 1 MHz
2800
550
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
240
33
pF
ns
t r
V GS = -10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
26
ns
t d(off)
R G = 4.7 ? (External)
65
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
25
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
95
nC
Min. Max.
A 4.7 5.3
Min. Max.
.185 .209
A 1
A 2
Q gs
Q gd
V GS = -10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
27
40
nC
nC
2.2 2.54
2.2 2.6
b 1.0 1.4
.087 .102
.059 .098
.040 .055
R thJC
0.42
K/W
b 1
b 2
1.65 2.13
2.87 3.12
.065 .084
.113 .123
R thCS
0.25
K/W
C .4 .8
D 20.80 21.46
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.170 .216
242 BSC
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = I S , di/dt = 100 A/ μ s, V R = -50 V
250
-16
-64
-3
A
A
V
ns
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343 6,583,505
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH180N10T | MOSFET N-CH 100V 180A TO-247 |
| IXTH182N055T | MOSFET N-CH 55V 182A TO-247 |
| IXTH200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 |
| IXTH200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 |
| IXTH20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH16P60P | 功能描述:MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH17N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH17N60 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH17N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH17P25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
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