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参数资料
| 型号： | IXTH14N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 14N80
12
Figure 7. Gate Charge
5000
Figure 8. Capacitance Curves
10
V DS = 400V
I D = 15A
2500
Ciss
8
I G = 1mA
1000
f = 1MHz
6
4
2
0
500
250
100
50
Coss
Crss
0
50
100
150
200
250
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
Figure 9. Source Current vs. Source to Drain Voltage
50
40
1 00
V DS - Volts
Figure10. Forward Bias Safe Operating Area
30
20
T J = 125 O C
10
0.1ms
1ms
10
T J = 25 O C
1
T C = 25 O C
10ms
100ms
DC
0
0. 1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
1 00
1 000
1
V SD - Volts
Figure 11. Transient Thermal Resistance
D=0.5
V DS - Volts
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
D = Duty Cycle
Single pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH150N17T | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXTH15N35MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH15N35MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247(5) |
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