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参数资料
| 型号： | IXTH152N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 152A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 152A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH152N085T
IXTQ152N085T
60
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
60
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
55
R G = 5 Ω
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
I D = 25A
I D = 50A
V GS = 10V
V DS = 43V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 43V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
110
43
47
76
100
90
80
70
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 43V
I D = 25A
41
39
37
35
46
45
44
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 43V
72
68
64
60
33
I D = 50A
50
40
30
I D = 50A
31
29
27
43
42
I D = 25A
60
56
41
52
20
25
10
23
40
48
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
46
45
80
75
130
120
220
200
44
T J = 25oC
70
110
100
I D = 25A
180
160
43
42
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 43V
T J = 125oC
65
60
90
80
70
I D = 50A
140
120
100
41
T J = 125oC
55
60
50
t f
t d(off) - - - -
80
60
40
50
T J = 125oC, V GS = 10V
T J = 25oC
40
V DS = 43V
40
39
45
30
20
24
28
32
36
40
44
48
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_152N085T (4V) 6-12-06.xls
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