- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录461 > IXTH180N10T (IXYS)MOSFET N-CH 100V 180A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTH180N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 180A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 151nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH180N10T
IXTQ180N10T
180
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 90A Value
vs. Junction Temperature
180
160
V GS = 10V
9V
2.8
2.6
V GS = 10V
140
120
8V
2.4
2.2
2
100
80
60
40
7V
6V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = 180A
I D = 90A
0.8
20
0
5V
0.6
0.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 90A Value
vs. Drain Current
140
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
External Lead Current Limit for TO-263 (7-Lead)
2.6
2.4
2.2
T J = 175oC
120
100
2
1.8
V GS = 10V
80
External Lead Current Limit for TO-3P, TO-220, & TO-263
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
15V - - - -
T J = 25oC
60
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH182N055T | MOSFET N-CH 55V 182A TO-247 |
| IXTH200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 |
| IXTH200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 |
| IXTH20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| IXTH220N055T | MOSFET N-CH 55V 220A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH182N055T | 功能描述:MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH18N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH19N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH19N50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH19P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。