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参数资料
| 型号： | IXTH180N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 180A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 151nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH180N10T
IXTQ180N10T
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
I D = 25A
I D = 50A
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
V DS = 50V
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
180
75
38
64
160
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
70
37
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
25A < I D < 50A
61
140
V DS = 50V
I D = 50A
65
36
V DS = 50V
58
120
100
60
55
35
34
55
52
80
60
40
I D = 25A
50
45
40
33
32
49
46
20
0
35
30
31
30
I D = 25A, 50A
43
40
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
38
64
160
t f
t d(off) - - - -
250
37
61
140
T J = 125oC, V GS = 10V
220
36
35
t f
t d(off) - - - -
T J = 125oC
58
55
120
V DS = 50V
190
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
100
160
34
V DS = 50V
52
25A < I D < 50A
33
32
49
46
80
60
I D = 25A, 50A
130
100
31
30
T J = 25oC
43
40
40
20
70
40
25
30
35
40
45
50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF:T_180N10T (61) 11-20-06-A.xls
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH182N055T | 功能描述:MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH18N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-218VAR |
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