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参数资料
| 型号： | IXTH200N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 430W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Trench Gate
Power MOSFET
IXTH200N075T
IXTQ200N075T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 75 V
= 200 A
≤ 5.0 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 (IXTH)
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Transient
75
75
± 20
V
V
V
I D25
I LRMS
I DM
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
200
75
540
A
A
A
G
D
S
(TAB)
I AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
25
750
3
A
mJ
V/ns
TO-3P (IXTQ)
T J ≤ 175 ° C, R G = 5 Ω
P D
T C = 25 ° C
430
W
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
S
G = Gate
D = Drain
(TAB)
M d
Mounting torque
1.13 / 10 Nm/lb.in.
S = Source
TAB = Drain
Weight
TO-3P
TO-247
5.5
6
g
g
Features
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
- easy to drive and to protect
Advantages
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
75
2.0
4.0
± 200
5
250
V
V
nA
μ A
μ A
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 25 A, Notes 1, 2
4.0
5.0
m Ω
DS99634 (11/06)
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 |
| XPGWHT-L1-0000-00CE6 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
| XPGWHT-L1-0000-00BF8 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
| XPGWHT-01-0000-00GD2 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
| XPGWHT-01-0000-00GD1 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH200N085T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH20N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH20N55MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
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