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参数资料
| 型号： | IXTH200N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 430W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH200N075T
IXTQ200N075T
65
Fig. 13. Resistiv e Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
60
R G = 5 Ω
65
55
50
45
V GS = 10V
V DS = 38V
60
55
50
45
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 38V
T J = 25oC
40
40
35
I D = 50A
35
30
30
T J = 125oC
25
20
I D = 25A
25
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistiv e Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
130
60
58
95
120
t r
t d(on) - - - -
57
57
90
110
100
90
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 38V
54
51
48
56
55
54
I D = 25A
85
80
75
80
45
70
42
53
I D = 50A
70
60
I D = 50A
39
52
65
50
40
30
20
I D = 25A
36
33
30
27
51
50
49
48
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 38V
60
55
50
45
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistiv e Turn-off
Switching Times v s. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times v s. Gate Resistance
58
57
95
90
170
t f
t d(off) - - - -
300
56
55
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
T J = 125oC
85
80
150
130
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 38V
I D = 25A
260
220
54
V DS = 38V
75
53
52
70
65
110
180
51
60
90
I D = 50A
140
50
T J = 25oC
55
70
100
49
50
48
45
50
60
25
30
35
40
45
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_200N075T (5V) 6-20-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 |
| XPGWHT-L1-0000-00CE6 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
| XPGWHT-L1-0000-00BF8 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
| XPGWHT-01-0000-00GD2 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH200N085T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH20N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH20N55MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
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