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参数资料
| 型号： | IXTH40N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 35N30
IXTH 40N30
IXTM 40N30
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
80
70
60
T J = 25°C
V GS = 10V
8V
7V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
6V
5V
50
40
30
20
10
0
T J = 25° C
0
2
4
6
8
10
12
14
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.0
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
2.50
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
1.8
1.6
1.4
T J = 25°C
2.25
2.00
1.75
1.2
V GS = 10V
V GS = 15V
1.50
1.25
I D = 20A
1.0
0.8
0.6
1.00
0.75
0.50
0
20
40
60
80
100
120
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
50
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
V GS(th)
BV DSS
40
30
20
40N30
35N30
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
10
0.6
0
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH41N25 | MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A |
| IXTH440N055T2 | MOSFET N-CH 55V 440A TO-247 |
| IXTH450P2 | MOSFET N-CH 500V 16A TO247 |
| IXTH48N15 | MOSFET N-CH 150V 48A TO-247 |
| IXTH48N20 | MOSFET N-CH 200V 48A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH40N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXTH40N50L2 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH41N25 | 功能描述:MOSFET 41 Amps 250V 0.072 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH420N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH42N15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-218VAR |
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