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参数资料
| 型号： | IXTH450P2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 16A TO247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTP450P2 IXTQ450P2
IXTH450P2
16
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
50
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
14
V GS = 10V
7V
45
V GS = 10V
7V
40
12
10
8
6V
35
30
25
6
20
6V
15
4
10
2
0
5V
5
0
5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
5
10
15
20
25
30
16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 8A Value vs.
Junction Temperature
14
6V
2.8
V GS = 10V
12
2.4
10
8
2.0
I D = 16A
I D = 8A
1.6
6
4
2
0
5V
4V
1.2
0.8
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 8A Value vs.
Drain Current
18
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.2
V GS = 10V
T J = 125oC
16
14
2.8
12
2.4
10
2.0
T J = 25oC
8
6
1.6
4
1.2
0.8
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH48N15 | MOSFET N-CH 150V 48A TO-247 |
| IXTH48N20 | MOSFET N-CH 200V 48A TO-247 |
| IXTH48P20P | MOSFET P-CH 200V 48A TO-247 |
| IXTH500N04T2 | MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 |
| IXTH50N20 | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH460P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH48N15 | 功能描述:MOSFET 48 Amps 150V 0.032 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH48N20 | 功能描述:MOSFET 48 Amps 200V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH48N20T | 功能描述:MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH48P20P | 功能描述:MOSFET -48.0 Amps -200V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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