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参数资料
| 型号： | IXTH50N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 50N20
IXTM 50N20
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
100
90
80
70
T J = 25°C
V GS = 10V
9V
8V
7V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
6V
5V
60
50
40
30
20
10
0
T J = 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
125
100
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
T J = 25°C
2.50
2.25
2.00
1.75
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
75
50
V GS = 10V
V GS = 15V
1.50
1.25
I D = 40A
1.00
25
0.75
0
25
50
75
100 125 150 175 200
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
80
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
70
60
50
40
30
20
10
0
50N20
42N20
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
BV CES
V GS(th)
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH52P10P | MOSFET P-CH 100V 52A TO-247 |
| IXTH5N100A | MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD |
| IXTH60N10 | MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 |
| IXTH60N15 | MOSFET N-CH 150V 60A TO-247 |
| IXTH60N25 | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH50N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXTH50N25T | 功能描述:MOSFET Trench Gate Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH50N30 | 功能描述:MOSFET 59 Amps 300V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH50P085 | 功能描述:MOSFET -50 Amps - 500 V 0.055 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH50P10 | 功能描述:MOSFET -50 Amps -100V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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