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参数资料
| 型号： | IXTH60N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 164nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
Standard
IXTH 60N25
V DSS
= 250 V
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
I D(cont) = 60 A
R DS(on) = 46 m ?
Symbol
Test conditions
Maximum ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C; R GS = 1.0 M ?
Continuous
250
250
±20
V
V
V
TO-247 AD
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25 ° C MOSFET chip capability
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
±30
60
240
V
A
A
G
D
S
D (TAB)
I AR
60
A
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
= 25 ° C
T C
50
1.5
5
400
-55 ... +150
mJ
J
V/ns
W
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
T JM
T stg
M d
Weight
Mounting torque
TO-264
150
-55 ... +150
1.13/10
6
° C
° C
Nm/lb.in.
g
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? International standard package
JEDEC TO-247 AD
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
? Fast switching times
? High commutating dv/dt rating
Applications
? Motor controls
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
? DC choppers
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ.
Max.
? Switched-mode
power supplies
and resonant-mode
V DSS
V GS(th)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
250
2.0
4.0
V
V
? Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Advantages
I GSS
V GS = ±20 V DC, V DS = 0
±100
nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125°C
25
250
μ A
μ A
? Easy to mount with one screw
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 15A
Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2%
46 m ?
? High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99010(03/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 |
| IXTH6N120 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD |
| IXTH6N150 | MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247 |
| IXTH6N80A | MOSFET N-CH 800V 6A TO-247 |
| IXTH6N90A | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH60N30T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH62N25T | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH67N08 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH67N08MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH67N08MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5) |
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