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参数资料
| 型号： | IXTH60N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 164nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 60N25
Symbol
Test Conditions
Characteristic values
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min.
Typ. Max.
TO-247 AD Outline
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
28
36
4400
S
pF
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
800
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
290
23
pF
ns
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 2.0 ? (External)
23
60
ns
ns
t f
17
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
Q g(on)
164
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A 1
A 2
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
30
85
nC
nC
A 4.7 5.3
2.2 2.54
2.2 2.6
.185 .209
.087 .102
.059 .098
b 1.0 1.4
.040 .055
b 1
b 2
R thJC
R thCK
0.25
0.31 K/W
K/W
1.65 2.13
2.87 3.12
C .4 .8
.065 .084
.113 .123
.016 .031
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
V GS = 0V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A, -di/dt = 100 A/μs, V R = 100V
300
3.0
60
240
1.5
A
A
V
ns
μ C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 |
| IXTH6N120 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD |
| IXTH6N150 | MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247 |
| IXTH6N80A | MOSFET N-CH 800V 6A TO-247 |
| IXTH6N90A | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH60N30T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH62N25T | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH67N08 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH67N08MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH67N08MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5) |
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