参数资料
型号: IXTH60N25
厂商: IXYS
文件页数: 4/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 250V 60A TO-247
标准包装: 30
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 46 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 164nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4400pF @ 25V
功率 - 最大: 400W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AD
包装: 管件
IXTH 60N25
120
Fig. 7. Input Admittance
75
Fig. 8. Transconductance
100
60
T J = -40oC
25oC
125oC
80
45
60
40
20
0
T J = -40oC
25oC
125oC
30
15
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
30
60
90
120
150
180
180
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V DS = 125V
150
120
8
6
I D =30A
I G = 10mA
90
4
60
30
0
T J = 125oC
T J = 25oC
2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
30
60
90
120
150
180
V SD - Volts
Q G - nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
f = 1M Hz
C iss
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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IXTH67N08 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-218VAR
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