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参数资料
| 型号： | IXTH6N150 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1500V（1.5kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
High Voltage
Power MOSFETs
IXTT6N150
IXTH6N150
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
1500V
6A
3.5 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-268 (IXTT)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
1500
1500
± 20
± 30
V
V
V
V
G
TO-247 (IXTH)
S
D (Tab)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
6
24
A
A
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
3
500
A
mJ
G
D
S
D (Tab)
dv/dt
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
5
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
540
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO247)
TO-268
TO-247
300
260
1.13 / 10
4
6
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
International Standard Packages
Molding Epoxies Weet UL 94 V-0
Flammability Classification
Fast Intrinsic Diode
Low Package Inductance
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1500
V
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
5.0
V
High Power Density
I GSS
I DSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
± 100 nA
25 μ A
250 μ A
Applications
High Voltage Power Supplies
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
3.5
Ω
Capacitor Discharge
Pulse Circuits
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100233B(05/12)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH6N80A | MOSFET N-CH 800V 6A TO-247 |
| IXTH6N90A | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 |
| IXTH72N20 | MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 |
| IXTH75N15 | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 |
| IXTH76N25T | MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH6N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode |
| IXTH6N80A | 功能描述:MOSFET 6 Amps 800 V 1.4 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH6N90 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 900V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH6N90A | 功能描述:MOSFET 6 Amps 900V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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