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参数资料
| 型号： | IXTH6N150 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1500V（1.5kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTT6N150
IXTH6N150
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-268 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
4.0
6.5
2230
170
64
22
mS
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 3 Ω (External)
20
50
38
ns
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2,4 - Drain
Q g(on)
67
nC
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
TO-247
12
36
0.21
nC
nC
0.23 ° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
V GS = 0V
6
A
I SM
V SD
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = 6A, V GS = 0V, Note 1
24
1.3
A
V
TO-247 Outline
t rr
I RM
Q RM
I F = 3A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
1.5
12
9
μ s
A
μ C
1
2
3
?P
e
Note:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
Dim.
Millimeter
Min. Max.
A 4.7 5.3
2.2 2.54
A 1
A 2
2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1
1.65 2.13
b 2
2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
2 - Drain
Inches
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH6N80A | MOSFET N-CH 800V 6A TO-247 |
| IXTH6N90A | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 |
| IXTH72N20 | MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 |
| IXTH75N15 | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 |
| IXTH76N25T | MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH6N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode |
| IXTH6N80A | 功能描述:MOSFET 6 Amps 800 V 1.4 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH6N90 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 900V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH6N90A | 功能描述:MOSFET 6 Amps 900V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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