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参数资料
型号： IXTH6N150
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247
标准包装： 30
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 1500V（1.5kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 3.5 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2230pF @ 25V
功率 - 最大： 540W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： TO-247
包装： 管件
IXTT6N150
IXTH6N150
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
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0.1
1
Pulse Width - Second
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_6N150 (5P)1-19-10
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PDF描述
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IXTH6N80A 功能描述:MOSFET 6 Amps 800 V 1.4 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH6N90 功能描述:MOSFET 6 Amps 900V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH6N90A 功能描述:MOSFET 6 Amps 900V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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