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参数资料
| 型号： | IXTH75N15 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 330W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
High Current
Power MOSFET
IXTH 75N15
IXTT 75N15
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150 V
= 75 A
= 23 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXTH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
150
150
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
75
300
75
60
V
V
A
A
A
mJ
TO-268 (IXTT)
(TAB)
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.5
5
330
-55 ... +150
150
-55 ... +150
J
V/ns
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
G
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
International standard packages
M d
Weight
Mounting torque
TO-247 AD
TO-268
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
4 g
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Advantages
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
150
V
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.0
4.0
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
23
m ?
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98948C(05/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH76N25T | MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 |
| IXTH88N15 | MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD |
| IXTH8P50 | MOSFET P-CH 500V 8A TO-247 |
| IXTH90N15T | MOSFET N-CH 150V 90A TO247 |
| IXTI12N50P | MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH76N25T | 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH76P10T | 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH7P45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH7P50 | 功能描述:MOSFET -7 Amps 500V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH80N20L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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