- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录462 > IXTH8P50 (IXYS)MOSFET P-CH 500V 8A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTH8P50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 500V 8A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Standard Power
MOSFET
P-Channel Enhancement Mode
IXTH 8P50
IXTT 8P50
V DSS = -500 V
I D25 = -8 A
R DS(on) = 1.2 ?
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
-500
V
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T J
T C = 25 ° C
-500
± 20
± 30
-8
-32
-8
V
V
V
A
A
A
TO-268 (IXTT)
D (TAB)
E AR
P D
T J
T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
30
180
-55 ... +150
150
mJ
W
° C
° C
G
G = Gate,
S = Source,
S
D = Drain,
TAB = Drain
D (TAB)
T stg
-55 ... +150
° C
Features
? Low R HDMOS process
M d
Weight
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic Body for 10s
Mounting torque (TO-247)
TO-247
TO-268
300 ° C
250 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
5 g
? International standard packages
TM
DS (on)
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance (<5 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
V DSS
V GS = 0 V, I D = -250 μ A
BV DSS Temperature Coefficient
-500
0.054
V
%/K
? High side switching
? Push-pull amplifiers
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS(th) Temperature Coefficient
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
-3.0
-0.122
-5.0
± 100
V
%/K
nA
? DC choppers
? Automatic test equipment
I DSS
R DS(on)
V DS = 0.8 ? V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = -10 V, I D = 0.5 ? I D25 7P50
8P50
R DS(on) Temperature Coefficient
-200 μ A
-1 mA
1.5 ?
1.2 ?
0.6 %/K
Advantages
? Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
? 2005 IXYS All rights reserved
DS94534F(02/05)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH90N15T | MOSFET N-CH 150V 90A TO247 |
| IXTI12N50P | MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK |
| IXTJ36N20 | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD |
| IXTK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXTK110N30 | MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH90N15T | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 90A TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTH90P10P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH96N25T | 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。