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参数资料
| 型号： | IXTI12N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK |
| 产品目录绘图： | Leaded TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
IXTA12N50P
IXTI12N50P
IXTP12N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500V
= 12A
≤ 500m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (I XTA )
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
500
500
± 30
V
V
V
G
S
(TAB)
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 40
12
30
V
A
A
Leaded TO-263 (I XTI )
I A
E AS
dV/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
12
600
10
A
mJ
V/ns
G
D
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
200
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
TO-220 (I XTP )
T L
1.6mm (0.062) from case for 10s
300
° C
T SOLD
M d
M d
Weight
Plastic body for 10s
Mounting torque
Mounting force
TO-263
Leaded TO-263
TO-220
(TO-220)
(TO-263)
260
1.13 / 10
10..65 / 2.2..14.6
2.5
2.8
3.0
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
g
G
G = Gate
S = Source
D S
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
Features
International standard packages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
500 V
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
easy to drive and to protect
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
5.5
V
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
± 100 nA
5 μ A
250 μ A
500 m Ω
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99322F(04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTJ36N20 | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD |
| IXTK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXTK110N30 | MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 |
| IXTK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXTK120N25P | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTI76N25T | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| IXTJ36N20 | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200 V 0.07 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTJ4N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTJ6N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK100N25P | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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