参数资料
型号: IXTI12N50P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
产品目录绘图: Leaded TO-263
标准包装: 50
系列: Polar™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1830pF @ 25V
功率 - 最大: 200W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-263
包装: 管件
IXTA12N50P IXTI12N50P
IXTP12N50P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.00
0.10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXYS REF: T_12N50P (4J) 04-14-08-D
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IXTJ6N150 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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