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参数资料
| 型号： | IXTI12N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK |
| 产品目录绘图： | Leaded TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA12N50P
IXTI12N50P
IXTP12N50P
20
18
16
Fig. 7. Input Admittance
27
24
21
Fig. 8. Transconductance
14
18
T J = - 40oC
12
10
8
T J = 125 oC
25oC
- 40oC
15
12
9
25oC
125oC
6
4
2
0
6
3
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V G S - Volts
I
D
- Amperes
35
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
30
25
20
15
9
8
7
6
5
4
V DS = 250V
I D = 6A
I G = 10m A
10
5
0
T J = 125 oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V S
D
- Volts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
100
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
T J = 150oC
1000
100
C iss
C oss
C rss
10
R DS(on) Lim it
T C = 25oC
25μs
100μs
1m s
10
1
DC
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTJ36N20 | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD |
| IXTK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXTK110N30 | MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 |
| IXTK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXTK120N25P | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTI76N25T | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| IXTJ36N20 | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200 V 0.07 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTJ4N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTJ6N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK100N25P | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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