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参数资料
| 型号： | IXTI12N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK |
| 产品目录绘图： | Leaded TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA12N50P IXTI12N50P
IXTP12N50P
12
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
30
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
10
V GS = 10V
27
24
V GS = 10V
8V
8
7V
21
18
6
4
15
12
9
7V
2
0
6V
6
3
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
12
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
2.6
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Normalized to I D = 6A Value
vs. Junction Temperature
10
V GS = 10V
7V
2.4
2.2
V GS = 10V
2.0
8
1.8
6
4
6V
1.6
1.4
1.2
I D = 12A
I D = 6A
1.0
2
0
5V
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value
vs. Drain Current
14
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Curre nt v s. Case
Te mpe rature
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
V GS = 10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
12
10
8
6
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTJ36N20 | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD |
| IXTK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXTK110N30 | MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 |
| IXTK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXTK120N25P | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTI76N25T | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| IXTJ36N20 | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200 V 0.07 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTJ4N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTJ6N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK100N25P | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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