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参数资料
| 型号： | IXTH75N15 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 330W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 75N15
IXTT 75N15
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
80
70
60
50
40
30
20
V GS = 10V
8V
7V
6V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2 1.4
1.6 1.8
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
80
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.2
2
1.8
1.6
V GS = 10V
40
6V
1.4
I D = 75A
I D = 37.5A
30
20
10
0
5V
1.2
1
0.8
0.6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
2
Value vs. I D
80
Tem perature
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2004 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH76N25T | MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 |
| IXTH88N15 | MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD |
| IXTH8P50 | MOSFET P-CH 500V 8A TO-247 |
| IXTH90N15T | MOSFET N-CH 150V 90A TO247 |
| IXTI12N50P | MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH76N25T | 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH76P10T | 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH7P45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH7P50 | 功能描述:MOSFET -7 Amps 500V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH80N20L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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