参数资料
型号: IXTH75N15
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
标准包装: 30
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 23 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 25V
功率 - 最大: 330W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AD
包装: 管件
IXTH 75N15
IXTT 75N15
Fig . 13. M axim u m T r an s ie n t T h e r m al Re s is tan ce
1. 0 0
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1
10
Puls e W idth - millis ec onds
10 0
10 0 0
? 2004 IXYS All rights reserved
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXTH76N25T 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH76P10T 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH7P45 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR
IXTH7P50 功能描述:MOSFET -7 Amps 500V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH80N20L 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube