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参数资料
| 型号： | IXTH75N15 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 330W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 75N15
IXTT 75N15
180
160
140
120
Fig. 7. Input Adm ittance
80
70
60
50
Fig. 8. Transconductance
100
80
40
T J = -40oC
25oC
125oC
60
40
20
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
30
60
90
120
150
180
200
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
60
9
8
7
6
5
4
3
V DS = 75V
I D = 37.5A
I G = 10mA
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
120 140
160
180
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
C iss
100
100μs
1ms
1000
100
C oss
C rss
10
1
T J = 150 o C
T C = 25 o C
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,381,025
6,162,665
6,306,728 B1 6,534,343
6,683,344
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,486,715
6,259,123 B1 6,404,065 B1
6,583,505
6,710,405B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH76N25T | MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 |
| IXTH88N15 | MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD |
| IXTH8P50 | MOSFET P-CH 500V 8A TO-247 |
| IXTH90N15T | MOSFET N-CH 150V 90A TO247 |
| IXTI12N50P | MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH76N25T | 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH76P10T | 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH7P45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH7P50 | 功能描述:MOSFET -7 Amps 500V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH80N20L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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