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参数资料
| 型号： | IXTH60N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 164nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 60N25
60
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
150
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
125
100
75
50
25
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
0
0.5
1
1.5 2
V DS - Volts
2.5
3
3.5
0
2
4 6
V DS - Volts
8
10
60
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
3
50
V GS = 10V
9V
8V
2.5
V GS = 10V
40
30
7V
6V
2
I D = 60A
1.5
20
I D = 30A
10
0
5V
1
0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D25
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
3.4
3
2.6
2.2
1.8
1.4
1
0.6
V GS = 10V
Value vs. I D
T J = 125oC
T J = 25oC
70
60
50
40
30
20
10
0
Temperature
0
30
60
90
120
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTH62N25T | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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