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参数资料
| 型号： | IXTH6N80A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 6A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 6N80
IXTM 6N80
IXTH 6N80A
IXTM 6N80A
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
T J = 25°C
V GS = 10V
7V
6V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
T J = 25°C
0
5
10
15
20
25
30
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5
3.0
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
2.50
2.8
2.6
T J = 25°C
2.25
2.00
1.75
2.4
2.2
2.0
1.8
V GS = 10V
V GS = 15V
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
I D = 2.5A
0
2
4
6
8
10
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
7
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
6
6N80A
1.1
BV CES
V GS(th)
5
1.0
4
3
2
1
0
6N80
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH6N90A | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 |
| IXTH72N20 | MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 |
| IXTH75N15 | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 |
| IXTH76N25T | MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 |
| IXTH88N15 | MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH6N90 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 900V 1.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH6N90A | 功能描述:MOSFET 6 Amps 900V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH72N20 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH72N20T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH72N30T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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