参数资料
型号: IXTK110N20L2
厂商: IXYS
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
标准包装: 25
系列: Linear L2™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫欧 @ 55A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 500nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 23000pF @ 25V
功率 - 最大: 960W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264
包装: 管件
IXTK110N20L2
IXTX110N20L2
160
Fig. 7. Input Admittance
140
Fig. 8. Transconductance
140
120
100
80
60
40
20
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
120
100
80
60
40
20
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
320
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
V DS = 100V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
280
240
200
160
120
14
12
10
8
6
I D = 55A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
100
200
300
400
500
600
700
800
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
10,000
1,000
100
Ciss
Coss
Crss
0.100
0.010
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料
PDF描述
B82801C1265A150 TRANSF CURRENT SENSE 12.6MH SMD
GLEB01C SWITCH TOP ROLLR PLNGR SNAP SPDT
B82801A743A30 TRANSF CURRENT SENSE 74UH SMD
B82801A214A50 TRANSF CURRENT SENSE 205UH SMD
FAR-D6JH-2G1325-B1YZ-Z DUPLEXER SAW 2.1325GHZ W-CDMA
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTK110N30 功能描述:MOSFET 110 Amps 300V 0.026 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK120N20P 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.020 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK120N25P 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK120P20T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube