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参数资料
| 型号： | IXTK110N20L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 110A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 500nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK110N20L2
IXTX110N20L2
1,000
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
25μs
1,000
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
RDS(on) Limit
100
100μs
100
25μs
100μs
1ms
1ms
10ms
10
100ms
10
10ms
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
1
T J = 150oC
T C = 75oC
Single Pulse
100ms
DC
1
10
100
1,000
1
10
100
1,000
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_110N20L2(9R)9-16-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B82801C1265A150 | TRANSF CURRENT SENSE 12.6MH SMD |
| GLEB01C | SWITCH TOP ROLLR PLNGR SNAP SPDT |
| B82801A743A30 | TRANSF CURRENT SENSE 74UH SMD |
| B82801A214A50 | TRANSF CURRENT SENSE 205UH SMD |
| FAR-D6JH-2G1325-B1YZ-Z | DUPLEXER SAW 2.1325GHZ W-CDMA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK110N30 | 功能描述:MOSFET 110 Amps 300V 0.026 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.020 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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