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参数资料
| 型号： | IXTK120N25P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 500µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK 120N25P
210
Fig. 7. Input Adm ittance
110
Fig. 8. Trans conductance
180
150
120
90
100
90
80
70
60
50
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
60
30
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
40
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
0
30
60
90
120
150
180
210
350
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 125V
I D = 60A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1
V S D - V olts
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
Q
G
80 100 120 140 160 180 200
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
C is s
1000
100
Fig. 12. Forw ar d-Bias
Safe Ope r ating Ar e a
R DS(on) Lim it
25μs
100μs
1000
C oss
1m s
10
DC
10m s
100
f = 1MH z
C rs s
1
T J = 175 o C
T C = 25 o C
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
10
100
V D S - V olts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
| IXTK128N15 | MOSFET N-CH 150V 128A TO-264 |
| IXTK140N20P | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 |
| IXTK150N15P | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| IXTK160N20 | MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK120P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK128N15 | 功能描述:MOSFET 128 Amps 150V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK140N20P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK140N30P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK150N15P | 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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