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参数资料
| 型号： | IXTK150N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM
Power MOSFET
IXTK 150N15P
IXTQ 150N15P
V DSS = 150 V
I D25 = 150 A
R DS(on) ≤
13 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-264 (IXTK)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
150
150
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
S
D (TAB)
I D25
I D(RMS)
I DM
I AR
T C = 25 ° C
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
150
75
340
60
A
A
A
A
TO-3P (IXTQ)
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
80
2.5
mJ
J
G
D
S
(TAB)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 175 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
10
714
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
-55 ... +175
° C
T JM
175
° C
Features
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +175
300
260
° C
° C
° C
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Weight TO-3P
TO-264
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
5.5 g
10 g
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
150
V
l
l
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
5.0
V
l
High power density
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
25
500
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
13
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99299E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK160N20 | MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 |
| IXTK180N15P | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| IXTK180N15 | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
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| IXTK200N10P | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK160N20 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 200V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK170N10P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK170P10P | 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK17N120L | 功能描述:MOSFET 17 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK180N15 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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