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参数资料
| 型号： | IXTK180N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 500µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTK 180N15P
V DSS = 150 V
I D25 = 180 A
R DS(on) ≤ 10 m ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 (IXTK)
V DSS
V DGR
V DSS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
100
100
± 20
± 30
V
V
V
V
I D25
I D(RMS)
T C = 25 ° C
External lead current limit
180
75
A
A
G
D
S
(TAB)
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
380
A
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
60
100
4
10
A
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
Features
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
800
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
l
l
l
International standard package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Advantages
Weight
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
10 g
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
150
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 500 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2.5
5.0
± 200
25
250
V
nA
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
10
m ?
? 2005 IXYS All rights reserved
DS99297E(12/05)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK180N15 | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| IXTK200N10L2 | MOSFET 100V 200A TO-264 |
| IXTK200N10P | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 |
| IXTK21N100 | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
| IXTK22N100L | MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK200N10L2 | 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK200N10P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK20N140 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK20N150 | 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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