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参数资料
| 型号： | IXTK22N100L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 11A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Linear TM Power MOSFET
w/ Extended FBSOA
IXTK22N100L
IXTX22N100L
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000V
= 22A
≤ 600m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-264 (IXTK)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
Maximum Ratings
1000
1000
± 30
± 40
22
50
V
V
V
V
A
A
G
D
S
PLUS247 (IXTX)
Tab
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
22
1.5
A
J
G
D
S
Tab
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (IXTK)
Mounting Force (IXTX)
TO-264
PLUS247
300
260
1.13/10
20..120 / 4.5..27
10
6
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Features
? Designed for Linear Operation
? Avalanche Rated
? Molding Epoxy Meets UL94 V-0
Flammability Classification
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? Easy to Mount
? Space Savings
? High Power Density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
1000
V
Applications
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
V GS = 20V, I D = 0.5 ? I DSS , Note 1
3.0
5.5 V
± 200 nA
50 μ A
1 mA
600 m Ω
?
?
?
?
?
?
Programmable Loads
Current Regulators
DC-DC Converters
Battery Chargers
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99293D(10/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK250N10 | MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA |
| IXTK32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A TO-264 |
| IXTK33N50 | MOSFET N-CH 500V 33A TO-264 |
| IXTK46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 |
| IXTK550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK250N10 | 功能描述:MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK32P60P | 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK33N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA |
| IXTK33N50 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK40P50P | 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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